Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPD09N03LA G

Номер детали производителя	IPD09N03LA G
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Упаковка	PG-TO252-3-11
В наличии	5498 pcs
Техническая спецификация	IPx09N03LA G Part Number Guide Multiple Devices 04/Jun/2009

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5498 Infineon Technologies IPD09N03LA G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TO252-3-11
Серии	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	63W (Tc)
Упаковка /	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	1642 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	13 nC @ 5 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	50A (Tc)
Базовый номер продукта	OPD09N